蚀刻剂及使用它的蚀刻方法专利登记公告

专利名称：蚀刻剂及使用它的蚀刻方法

摘要：提供一种用于蚀刻同时存在有金属氧化物层和铜层的被处理物而可以选择性地蚀刻所述铜层的蚀刻剂及使用所述蚀刻剂的蚀刻方法。一种蚀刻剂，其用于蚀刻同时存在有金属氧化物层和铜层的被处理物而选择性地蚀刻所述铜层，所述金属氧化物层是包含选自Zn、Sn、Al、In以及Ga中的1种以上金属的氧化物，所述蚀刻剂的特征在于：所述蚀刻剂包括以铜离子计为0.1～3.0重量％的铜(II)离子源；0.1～30.0重量％的碳数为6以下的有机酸；以及含有0.1～30.0重量％的含氮化合物的水溶液，所述含氮化合物为选自由环内具有2个以上氮原

专利类型：发明专利

专利号：CN201110409498.3

专利申请（专利权）人：MEC股份有限公司

专利发明（设计）人：石田辉和;出口友香里;佐藤未菜

主权项：一种蚀刻剂，其用于蚀刻同时存在有金属氧化物层和铜层的被处理物而选择性地蚀刻所述铜层，所述金属氧化物层是包含选自Zn、Sn、Al、In以及Ga中的1种以上金属的氧化物，所述蚀刻剂的特征在于：所述蚀刻剂包括以铜离子计为0.1～3.0重量％的铜(II)离子源；0.1～30.0重量％的碳数为6以下的有机酸；以及0.1～30.0重量％的含氮化合物的水溶液，所述含氮化合物为选自由环内具有2个以上氮原子的杂环化合物以及碳数为8以下的含氨基化合物所构成的组中的1种以上，所述蚀刻剂的pH为5.0～10.5。

专利地区：日本