形成通过封装剂之上的绝缘层的开口供互连结构的增强粘合性的半导体器件和方法专利登记公告

专利名称：形成通过封装剂之上的绝缘层的开口供互连结构的增强粘合性的半导体器件和方法

摘要：半导体器件具有安装到载体的半导体小片。封装剂沉积在半导体小片和载体之上。去除载体。在半导体小片的占用面积外部的互连部位中的封装剂的一部分之上形成第一绝缘层。开口形成为通过互连部位中的第一绝缘层，以便露出封装剂。开口能够是环形的或是互连部位周围以及互连部位的中心区域中的通孔，以便露出封装剂。在第一绝缘层之上形成第一导电层，以便跟随第一绝缘层的轮廓。在第一导电层和外露封装剂之上形成第二导电层。在第二导电层之上形成第二绝缘层。在互连部位中的第二导电层之上形成凸块。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110429755.X

专利申请（专利权）人：新科金朋有限公司

专利发明（设计）人：林耀剑;陈康;方建敏

主权项：一种制作半导体器件的方法，包括：提供载体；将半导体小片安装到所述载体；将封装剂沉积在所述半导体小片和载体之上；去除所述载体；在所述半导体小片的占用面积外部的互连部位中的所述封装剂的一部分之上形成第一绝缘层；去除所述互连部位中的所述第一绝缘层的一部分，以便露出所述封装剂；在所述第一绝缘层和外露封装剂之上形成第一导电层；在所述第一导电层之上形成第二绝缘层；以及在所述互连部位中的所述第一导电层之上形成凸块。

专利地区：新加坡