晶体硅太阳电池制绒方法专利登记公告

专利名称：晶体硅太阳电池制绒方法

摘要：本发明涉及晶体硅太阳电池片的制备技术领域，特别是一种晶体硅太阳电池制绒方法，在硅片表面制作掩膜，然后在掩膜上开的掩膜窗口，再通过磁场定向作用的电化学腐蚀方法腐蚀出绒面结构，电化学腐蚀液由DMF、HF和H2O组成，其比例范围100DMF∶10HF∶15H2O至100DMF∶5HF∶5H2O。本发明的有益效果是：电化学腐蚀在磁场作用下对晶体硅进行腐蚀，通过对工艺参数的控制可以除去表面掩膜层及损伤层的同时得到垂直性很好的绒面结构，此结构可以降低光反射率。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110459609.1

专利申请（专利权）人：常州天合光能有限公司

专利发明（设计）人：李志伟

主权项：一种晶体硅太阳电池制绒方法，其特征是：在硅片表面制作掩膜，然后在掩膜上开的掩膜窗口，再通过磁场定向作用的电化学腐蚀方法腐蚀出绒面结构，电化学腐蚀液由DMF、HF和H2O组成，其比例范围100DMF∶10HF∶15H2O至100DMF∶5HF∶5H2O。

专利地区：江苏