基于碲化镉的光伏模块的制造中的薄膜层的一体化淀积专利登记公告

专利名称：基于碲化镉的光伏模块的制造中的薄膜层的一体化淀积

摘要：本发明涉及基于碲化镉的光伏模块的制造中的薄膜层的一体化淀积。提供了用于碲化镉薄膜光伏装置10的形成中的半导体层的薄膜淀积的设备和过程。该设备100包括一系列一体地连接的室，例如连接到装载真空泵108上的装载真空室106、溅射淀积室112、真空缓冲室120和气相淀积室128。传送器系统104可操作地设置在设备100内，并且构造成按串行布置以受控的速度将衬底10输送进入且输送通过装载真空室106、溅射淀积室112、真空缓冲室120和气相淀积室128。溅射淀积室112、真空缓冲室120和气相淀积室128一体地连

专利类型：发明专利

专利号：CN201110460421.9

专利申请（专利权）人：初星太阳能公司

专利发明（设计）人：S·D·费尔德曼-皮博迪;R·W·布莱克;R·D·戈斯曼;B·R·墨菲;M·J·帕沃尔

主权项：一种用于碲化镉薄膜光伏装置(10)的形成中的半导体层的薄膜淀积的设备(100)，所述设备(100)包括：连接到装载真空泵(108)上的装载真空室(106)，所述装载真空泵(108)构造成将所述装载真空室(106)内的压力降低到初始装载压力；溅射淀积室(112)；气相淀积室(128)；以及，传送器系统(104)，其可操作地设置在所述设备(100)内，并且构造成按串行布置以受控的速度将衬底(10)输送进入且输送通过所述装载真空室(106)，输送进入且输送通过所述溅射淀积室(112)，以及输送进入且输送通过所述

专利地区：美国