发光二极管晶片的点测方法专利登记公告

专利名称：发光二极管晶片的点测方法

摘要：本发明公开了一种发光二极管的点测方法，包括光学参数测试和电性参数测试，其特征在于：对光学参数分布离散的区域芯粒进行光电参数全测，对光学参数分布集中的区域芯粒只进行电性参数单测。在没有增设任何硬件成本的前提下，实现自动寻找和判别发光二极晶片光学参数集中性分布较好的区域，对其仅测试电性参数，节省光学参数测试的时间，测试速率显著提升，极大程度的提升了机台产能和降低了生产成本。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210055190.8

专利申请（专利权）人：厦门市三安光电科技有限公司

专利发明（设计）人：赖余盟;李水清;蔡坤煌;章小飞

主权项：发光二极管晶片的点测方法，包括光学参数测试和电性参数测试，其特征在于：对光学参数分布离散的区域芯粒进行光电参数全测，对光学参数分布集中的区域芯粒只进行电性参数单测。

专利地区：福建