用于三层芯片级MEMS器件的系统和方法专利登记公告

专利名称：用于三层芯片级MEMS器件的系统和方法

摘要：本发明涉及用于三层芯片级MEMS器件的系统和方法。提供了一种用于微机电系统(MEMS)器件的系统和方法。在一实施例中，系统包括第一外部层和包括第一组MEMS器件的第一器件层，其中第一器件层接合到第一外部层。系统还包括第二外部层和包括第二组MEMS器件的第二器件层，其中第二器件层接合到第二外部层。此外，系统包括具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的中央层，其中第一侧接合到第一器件层且第二侧接合到第二器件层。

专利类型：发明专利

专利号：CN201110462085.1

专利申请（专利权）人：霍尼韦尔国际公司

专利发明（设计）人：R·D·霍尔宁;R·苏皮诺

主权项：一种微机电系统(MEMS)器件，所述器件包括：第一外部层(102)；第一器件层(108)，所述第一器件层(108)包括第一组MEMS器件(122、123)，其中所述第一器件层(108)接合到所述第一外部层(102)；第二外部层(106)；第二器件层(110)，所述第二器件层(110)包括第二组MEMS器件(120、121)，其中所述第二器件层(110)接合到所述第二外部层(106)；以及中央层(104)，所述中央层(104)具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，其中所述第一侧接合到所述第一器件层(108)

专利地区：美国