半导体器件、组合衬底及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体器件、组合衬底及其制造方法

摘要：公开了一种低成本高质量的半导体器件、在所述半导体器件的制造中使用的接合衬底以及其制造方法。公开的用于制造半导体元件的方法包括：制备单晶半导体构件的步骤（S10）；制备支撑材料的步骤（S20）；使用包含碳的接合层将支撑材料和单晶半导体构件彼此接合的步骤（S30）；在单晶半导体构件的表面上形成外延层的步骤（S40）；使用外延层形成半导体元件的步骤（S50）；在形成半导体元件的步骤（S50）之后通过氧化分解接合层并且将单晶半导体构件与支撑材料分离的步骤（S60）；以及分割与支撑材料分离的单晶半导体构件的步骤（S

专利类型：发明专利

专利号：CN201180005072.X

专利申请（专利权）人：住友电气工业株式会社

专利发明（设计）人：盐见弘;玉祖秀人

主权项：一种用于制造半导体器件的方法，包括下述步骤：制备（S10）单晶半导体构件（1）；制备（S20）支撑基底（20）；通过包含碳的连接层（22）将所述支撑基底（20）和所述单晶半导体构件（1）彼此连接（S30）；在所述单晶半导体构件（1）的表面上形成（S40）外延层（23）；使用所述外延层（23）形成（S50）半导体元件；在形成（S50）所述半导体元件的步骤之后，通过氧化并且因此分解所述连接层（22），来将所述单晶半导体构件（1）与所述支撑基底（20）分离（S60）；以及分割（S80）与所述支撑基底（20）分离

专利地区：日本