一种AMOLED器件及制作方法专利登记公告

专利名称：一种AMOLED器件及制作方法

摘要：本发明提供了一种AMOLED器件及制作方法，涉及主动型有机电致发光器件的制造领域，用于制备出全硅基的AMOLED器件，以降低成本提高产量。该方法，包括：在基板上形成多晶硅层；对多晶硅层进行处理，形成有源区和像素电极区；在有源区上形成栅绝缘层；在基板上形成位于有源区上的栅绝缘层上的栅极；以栅极为掩膜对有源区和像素电极区进行掺杂工艺处理，以使所述有源区形成源极区、有源层、漏极区，使所述像素电极区形成像素电极层；通过薄膜沉积工艺在像素电极层对应的所述像素界定层上形成OLED器件。本发明用于制造AMOLED器件。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210006389.1

专利申请（专利权）人：京东方科技集团股份有限公司

专利发明（设计）人：李延钊;王刚;王东方;姜春生

主权项：一种AMOLED器件的制作方法，其特征在于，包括：在基板的一面上形成多晶硅层；对所述多晶硅层进行构图工艺处理，形成有源区和像素电极区；通过构图工艺处理在所述有源区上形成栅绝缘层；通过构图工艺处理在所述栅绝缘层上形成栅极，其中，所述栅极位于所述有源区上的栅绝缘层上；以所述栅极为掩膜对所述有源区和像素电极区进行掺杂工艺处理，以使所述有源区形成源极区、有源层、漏极区，使所述像素电极区形成像素电极层；在源极区、漏极区通过制备源极金属电极和漏极金属电极形成源极、漏极；通过薄膜沉积工艺在所述像素电极层对应的所述像素界

专利地区：北京