一种光刻胶背面曝光工艺专利登记公告

专利名称：一种光刻胶背面曝光工艺

摘要：本发明公开了一种光刻胶背面曝光工艺，包括：1、以洁净的透明玻璃基片作为基底，在其正面溅射一层铬作为掩膜层，掩膜层厚度为200nm-500nm；2、在铬掩膜层层上均匀涂覆一层光刻胶，然后依次进行曝光、显影，得到所需光刻胶图形；3、湿法腐蚀铬掩膜层，将光刻胶图形转移到铬掩膜层上，得到所需的掩膜层图形；4、在铬掩膜层图形上涂覆光刻胶；5、将透明玻璃基片正面朝下，进行曝光；6、将曝光的透明玻璃基片显影，完毕得到所需的光刻胶结构。本发明可以制作高深宽比的侧壁陡直的光刻胶结构，消除光刻胶中因为驻波效应导致的侧壁波纹，

专利类型：发明专利

专利号：CN201210013655.3

专利申请（专利权）人：华中科技大学

专利发明（设计）人：廖广兰;谭先华;史铁林;刘文亮;高阳

主权项：一种光刻胶背面曝光工艺，其特征在于，该方法包括下述步骤：第1步?溅射铬掩膜层：以洁净的透明玻璃基片作为基底，在其正面溅射一层铬作为掩膜层，掩膜层厚度为200nm?500nm；第2步?在铬掩膜层层上均匀涂覆一层光刻胶，然后依次进行曝光、显影，得到所需光刻胶图形；第3步?湿法腐蚀铬掩膜层，将光刻胶图形转移到铬掩膜层上，得到所需的掩膜层图形；第4步?在铬掩膜层图形上涂覆光刻胶，光刻胶厚度为5?100um；第5步?将透明玻璃基片正面朝下，进行曝光；第6步?将曝光的透明玻璃基片显影，完毕得到所需的光刻胶结构。

专利地区：湖北