半导体器件及其制造方法专利登记公告

专利名称：半导体器件及其制造方法

摘要：本发明涉及半导体器件及其制造方法。提供了一种可以增强构成半导体器件的封装体的可靠性的技术。本发明的技术构思的特征在于：散热器单元与外部引线单元相互分离；并且外部引线单元具有芯片布置部分，并且每个芯片布置部分与每个散热器接合在一起。结果，当在树脂密封步骤处形成密封本体时，连接部分起到用于防止树脂泄漏的阻挡部的功能，并且因此可以防止在封装体产品中形成树脂毛刺。此外，在散热器单元中不发生弯曲并且可以抑制由弯曲(翘曲)引起的在密封本体中的断裂。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210019756.1

专利申请（专利权）人：瑞萨电子株式会社

专利发明（设计）人：波多俊幸

主权项：一种半导体器件，包括：(a)散热器，具有第一正面以及位于与所述第一正面相对侧上的第一背面；(b)引线部分，具有多个引线以及芯片布置部分，所述芯片布置部分具有第二正面以及位于与所述第二正面相对侧上的第二背面；(c)半导体芯片，其布置在所述芯片布置部分的所述第二正面上方；以及(d)密封本体，其密封所述散热器的一部分、所述引线部分的一部分以及所述半导体芯片，其中，构成所述引线部分的所述引线和所述半导体芯片相互电耦合，以及其中，在所述密封本体中，所述散热器的所述第一正面与所述芯片布置部分的所述第二背面彼此相对布置

专利地区：日本