抗蚀剂图案改善材料、抗蚀剂图案形成方法、半导体装置及其制造方法专利登记公告
专利名称：抗蚀剂图案改善材料、抗蚀剂图案形成方法、半导体装置及其制造方法
摘要：本发明涉及抗蚀剂图案改善材料、抗蚀剂图案形成方法、半导体装置及其制造方法。本发明涉及的抗蚀剂图案改善材料包含水和由以下通式(1)表示的氯化苄烷铵，其中n是8～18的整数。通式(1)
专利类型：发明专利
专利号：CN201210020305.X
专利申请（专利权）人：富士通株式会社
专利发明（设计）人：野崎耕司;小泽美和
主权项：一种抗蚀剂图案改善材料，所述抗蚀剂图案改善材料包含：水；和由以下通式(1)表示的氯化苄烷铵：通式(1)其中，n是8～18的整数。FDA0000133073190000011.tif
专利地区：日本
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