半导体背散射电子探测器专利登记公告

专利名称：半导体背散射电子探测器

摘要：一种半导体背散射电子探测器，包括衬板、设置在所述衬板上的四个长方形硅片和电子束孔，四个长方形硅片内分别设置有导线并形成四个独立的单元，四个长方形硅片首尾相接围成一个正方形区域，所述电子束孔位于所述正方形区域内。所述的半导体背散射电子探测器结构简单，加工效率高，成本低廉，报废率低并且不影响成像。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210039367.5

专利申请（专利权）人：南京特能电子有限公司

专利发明（设计）人：陈芹纯

主权项：一种半导体背散射电子探测器，其特征在于：包括衬板（1）、设置在所述衬板（1）上的四个长方形硅片（2,3,4,5）和电子束孔（6），四个长方形硅片（2,3,4,5）内分别设置有导线（8,9,10,11）并形成四个独立的单元，四个长方形硅片（2,3,4,5）首尾相接围成一个正方形区域（7），所述电子束孔（6）位于所述正方形区域（7）内。

专利地区：江苏