一种监测光刻机焦距偏移的方法专利登记公告

专利名称：一种监测光刻机焦距偏移的方法

摘要：本发明公开了一种监测光刻机焦距偏移的方法，包括以下步骤：确定出光刻机正常状况下光谱曲线的状况，得到参考光谱曲线，并根据该情况建立量测程式；在满足晶圆的曝光条件随着光刻机焦距而变化的前提下，再曝光一片第一晶圆；依据已经建立的量测程式测出满足上述曝光条件下的第一晶圆，得到实际量测光谱曲线；确定一警报点分数；把警报点分数输入到已经建立的量测程式中；用已经建立的量测程式来监测光刻机的焦距偏移。由于利用了光学线宽测量仪，这样既能及时有效地通过量测量产的晶圆来判断光刻机台焦距的变化情况，又能降低受到量测干扰从而带来的

专利类型：发明专利

专利号：CN201210047368.4

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：唐在峰;张旭升;吕煜坤;方超

主权项：一种监测光刻机焦距偏移的方法，其特征在于，包括以下步骤：确定出光刻机正常状况下光谱曲线的状况，得到参考光谱曲线，并根据该情况建立量测程式；在满足晶圆的曝光条件随着光刻机焦距而变化的前提下，再曝光一片第一晶圆；依据已经建立的量测程式测出满足上述曝光条件下的第一晶圆，得到实际量测光谱曲线；确定一警报点分数；把警报点分数输入到已经建立的量测程式中；用已经建立的量测程式来监测光刻机的焦距偏移。

专利地区：上海