一种多台光刻设备校正方法专利登记公告

专利名称：一种多台光刻设备校正方法

摘要：本发明提供一种多台光刻设备校正方法，包括以下步骤：步骤1：将标准掩模板用标准光刻机曝光标准硅片，所述标准掩模板上集成检测图形；步骤2：测量标准掩模板上检测图形的尺寸，并得出标准光刻机的尺寸基准数据；测量标准硅片上缺陷的种类和数量，并得出标准光刻机的缺陷基准数据；步骤3：用标准掩模板在待校正光刻机上曝光待校正硅片；步骤4：测量待校正硅片上检测图形的尺寸数据，并得出待校正光刻机的尺寸数据，测量待校正硅片上缺陷的种类和数量，并得出待校正光刻机的缺陷数据；步骤5：比较标准光刻机和待校正光刻的尺寸基本数据和尺寸数据

专利类型：发明专利

专利号：CN201210047391.3

专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司

专利发明（设计）人：戴韫青;王剑;毛智彪

主权项：一种多台光刻设备校正方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将标准掩模板用标准光刻机曝光标准硅片，所述标准掩模板上集成检测图形；步骤2：测量标准掩模板上检测图形的尺寸，并得出标准光刻机的尺寸基准数据；测量标准硅片上缺陷的种类和数量，并得出标准光刻机的缺陷基准数据；步骤3：用标准掩模板在待校正光刻机上曝光待校正硅片；步骤4：测量待校正硅片上检测图形的尺寸数据，并得出待校正光刻机的尺寸数据，测量待校正硅片上缺陷的种类和数量，并得出待校正光刻机的缺陷数据；步骤5：比较标准光刻机和待校正光刻机的尺寸基本数据和尺寸

专利地区：上海