衬底处理装置、晶片支架及半导体装置的制造方法专利登记公告

专利名称：衬底处理装置、晶片支架及半导体装置的制造方法

摘要：本发明提供具有不对成膜精度带来不良影响且获得耐高温效果的晶片的层叠构造的衬底处理装置。具有将晶片(14)保持在内周侧的支架底座(110)、和具有保持支架底座(110)的外周侧的支架保持部(HS)的各舟皿柱(31a～31c)，支架底座(110)的外径尺寸比晶片(14)的外径尺寸大，并且支架底座(110)能够从支架保持部(HS)拆下。无需通过焊接等固定支架底座(110)和各舟皿柱(31a～31c)，能够由SiC等形成支架底座(110)及各舟皿柱(31a～31c)，能够容易地实现获得耐高温效果的晶片的层叠构造。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210055696.9

专利申请（专利权）人：株式会社日立国际电气

专利发明（设计）人：福田正直;佐佐木隆史;山口天和;原大介

主权项：一种衬底处理装置，其特征在于，包括：反应容器；气体喷嘴，被设置在所述反应容器内，并向所述反应容器内供给反应气体；舟皿，向所述反应容器送入及从所述反应容器送出，并包含具有支架保持部的多个舟皿柱；晶片支架，被所述支架保持部保持，并在其内周侧保持衬底，所述晶片支架的外径尺寸比所述衬底的外径尺寸大，并且所述晶片支架能从所述支架保持部拆下。

专利地区：日本