一种基于场发射原理的碳纳米管薄膜氢传感器和氢气检测方法专利登记公告

专利名称：一种基于场发射原理的碳纳米管薄膜氢传感器和氢气检测方法

摘要：本发明公开了一种基于场发射原理的碳纳米管薄膜氢传感器和氢气检测方法，包括有相互绝缘间隔的电子发射阴极和阳极，所述的电子发射阴极包括有导电基底以及生长或沉积于导电基底上碳纳米管薄膜，另外，本发明利用场发射电流的I-V和I-t曲线检测氢气。本发明具有灵敏度高、微型、功耗低、结构简洁、恢复快等优点。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210057894.9

专利申请（专利权）人：温州大学

专利发明（设计）人：董长昆

主权项：一种基于场发射原理的碳纳米管薄膜氢传感器，包括有相互绝缘间隔的电子发射阴极和阳极，其特征在于：所述的电子发射阴极包括有导电基底以及生长或沉积于导电基底上碳纳米管薄膜。

专利地区：浙江