多晶硅熔丝的形成方法专利登记公告

专利名称：多晶硅熔丝的形成方法

摘要：本发明涉及一种多晶硅熔丝的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底具有隔离结构；在所述衬底表面热氧化一层氧化硅；在所述氧化硅及隔离结构表面沉积多晶硅，对所述多晶硅进行掺杂；刻蚀所述多晶硅形成两头宽中间窄的多晶硅熔丝，所述多晶硅熔丝位于隔离结构上方的部分为突起；在所述多晶硅熔丝、隔离结构及氧化硅表面沉积介质层并平坦化所述介质层；涂覆光刻胶，光刻形成与所述突起相对应的第一窗口，所述第一窗口的宽度大于所述突起的宽度；刻蚀去除所述第一窗口内的部分介质层，在所述介质层中形成第二窗口；去除光刻胶。本发明采用衬底上的隔离结

专利类型：发明专利

专利号：CN201210061153.8

专利申请（专利权）人：上海先进半导体制造股份有限公司

专利发明（设计）人：青云;刘建华;邵凯

主权项：一种多晶硅熔丝的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底具有隔离结构；在所述衬底表面热氧化一层氧化硅；在所述氧化硅及隔离结构表面沉积多晶硅，对所述多晶硅进行掺杂；刻蚀所述多晶硅形成两头宽中间窄的多晶硅熔丝，所述多晶硅熔丝位于隔离结构上方的部分为突起；在所述多晶硅熔丝、隔离结构及氧化硅表面沉积介质层并平坦化所述介质层；在所述介质层上涂覆光刻胶，光刻形成与所述突起相对应的第一窗口，所述第一窗口的宽度大于所述突起的宽度；刻蚀去除所述第一窗口内的部分介质层，在所述介质层中形成第二窗口；去除光刻胶。

专利地区：上海