半导体器件的制造方法专利登记公告

专利名称：半导体器件的制造方法

摘要：本发明阻止了在半导体器件的组装中形成孔洞。MCU芯片和AFE芯片被安装在由具有一对第一侧边和一对第二侧边的四边形形成的裸片焊盘上方。在MCU芯片和AFE芯片上执行引线键合之后，从两个第二侧边中的一个第二侧边的一侧向另一第二侧边的一侧提供树脂。从而，使所述树脂穿过MCU芯片上方的第一焊盘组和第二焊盘组之间的开口以填充芯片之间的区域，因此阻止了在芯片之间的区域中形成孔洞。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210063525.0

专利申请（专利权）人：瑞萨电子株式会社

专利发明（设计）人：沼崎雅人

主权项：一种半导体器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：(a)提供引线框架，所述引线框架包括裸片焊盘、第一引线组、第二引线组以及多个悬置引线，其中，所述裸片焊盘由具有相对布置的一对第一侧边以及与所述第一侧边相交并且相对布置的一对第二侧边的四边形构成，所述第一引线组沿平面图中所述裸片焊盘的两个第一侧边中的一个侧边设置，所述第二引线组沿平面图中所述裸片焊盘的两个第一侧边中的另一侧边设置，所述多个悬置引线分别连接至所述裸片焊盘的第二侧边；(b)在所述裸片焊盘的第一区域中安装第一半导体芯片，并且在平面图中在靠近所述第一区

专利地区：日本