光刻装置和补偿中间掩模版引入的CDU的器件制造方法专利登记公告
专利名称:光刻装置和补偿中间掩模版引入的CDU的器件制造方法
摘要:光刻装置可以以基底曝光结构的形式工作,以将辐射图案曝光到基底上,以及以辐射束检查结构的形式工作,其中如果该光刻装置处于基底曝光结构时由辐射束检查装置检查将要被曝光到基底上的辐射图案。在辐射束检查结构中,修正光刻装置的操作,使得将要曝光到基底上的辐射图案与将要曝光到基底的所需辐射图案之间的差异最小。
专利类型:发明专利
专利号:CN201210063976.4
专利申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司
专利发明(设计)人:W·T·特尔;H·范德拉恩;C·M·奥文;T·J·戴维斯;T·D·希阿;T·A·帕克斯顿
主权项:一种光刻装置,包括:照明系统,其调节辐射束;构图部件,其调制辐射束;投影系统,其把调制辐射束投射到基底的靶部;和辐射束检查装置,其检查至少一部分调制辐射束;其中,处于基底曝光结构时,光刻装置利用调制辐射束在基底上曝光辐射图案,和其中,处于辐射束检查结构时,辐射束检查装置检查光刻装置处于基底曝光结构时将被曝光到基底上的辐射图案;其中光刻装置还包括:光学元件,其控制投影系统投射的调制辐射束,其中当光学元件设置为第一设置时,调制辐射束投射到被支撑在基底台上的基底上,并当光学元件设置为第二设置时,调制辐射束投射到
专利地区:荷兰
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