一种无氢掺硅类金刚石膜层及其制备方法专利登记公告

专利名称：一种无氢掺硅类金刚石膜层及其制备方法

摘要：一种无氢掺硅类金刚石膜层。其特征是依次由基体(1)；金属层(2)；金属碳化物层(3)；掺硅类金刚石膜层(4)构成。制备方法是采用直流磁控溅射石墨靶、中频磁控溅射碳化硅靶或硅靶以及离子源辅助沉积，依次氩离子清洗基体；沉积金属层和金属碳化物层；沉积无氢掺硅类金刚石膜层。与现有技术相比，本发明方法所制备的膜层具有摩擦系数和磨损率低、膜层质量好的特点。本发明膜层制备工艺简单，重复性好，可制备出不同含硅量的无氢掺硅类金刚石膜层，能满足湿度变化等特定环境下精密仪器传动部件精度的要求，提高其使用的精度、灵敏度和可靠性，

专利类型：发明专利

专利号：CN201210072931.3

专利申请（专利权）人：广州有色金属研究院

专利发明（设计）人：胡芳;代明江;林松盛;侯惠君;韦春贝;石倩;张贺勇

主权项：一种无氢掺硅类金刚石膜层，其特征是所述的无氢掺硅类金刚石膜层依次由基体(1)；金属层(2)；金属碳化物层(3)；掺硅类金刚石膜层(4)构成。

专利地区：广东