双吸收层交替相移L/S掩模锥形衍射场的计算方法专利登记公告

专利名称：双吸收层交替相移L/S掩模锥形衍射场的计算方法

摘要：本发明提供一种双吸收层交替相移L/S掩模锥形衍射场的计算方法，步骤一、设定电磁场展开时的空间谐波数n，n为奇数；步骤二、根据布洛开条件，分别求解第i个衍射级次的波矢量沿着切向和法向的分量；步骤三、针对双吸收层交替相移L/S掩模的每一光栅层，对其介电常数和介电常数倒数进行傅里叶Fourier展开；步骤四、利用步骤二中和步骤三中所计算的参数，求解每层光栅的特征矩阵，根据电磁场切向连续边界条件，利用增强透射矩阵法求解出射衍射场。采用本发明能快速计算出双吸收层交替相移L/S掩模锥形衍射场。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210099559.5

专利申请（专利权）人：北京理工大学

专利发明（设计）人：李艳秋;杨亮

主权项：一种双吸收层交替相移L/S掩模锥形衍射场的计算方法，其特征在于，具体步骤如下：步骤一、设定电磁场展开时的空间谐波数n，n为奇数；步骤二、根据布洛开条件，分别求解第i个衍射级次的波矢量沿着切向和法向的分量，其中i取遍[?m，m]中的整数，2m+1＝n，即i所取值的个数为n，m为正整数；波矢量沿着切向即x、y方向的分量为

专利地区：北京