光刻仿真的方法及装置专利登记公告

专利名称：光刻仿真的方法及装置

摘要：本发明公开了一种光刻仿真的方法及装置。该方法包括：将物理版图内的掩膜图形划分为若干个待仿真区域；在若干个待仿真区域中搜索具有几何同构关系的待仿真区域，搜索获取的具有几何同构关系的多个待仿真区域构成区域同构序列；对若干区域同构序列中的每一个区域同构序列，以图形同构方式合并光刻仿真任务，获得光刻仿真结果。本发明光刻仿真方法及装置中，利用区域光刻仿真数据的复用可以有效地减少复杂的仿真计算任务，在不牺牲仿真精度的条件下提高芯片整体光刻仿真速度。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210126228.6

专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所

专利发明（设计）人：陈岚;李志刚;吴玉平

主权项：一种光刻仿真的方法，其特征在于，包括：将物理版图内的掩膜图形划分为若干个待仿真区域；在所述若干个待仿真区域中搜索具有几何同构关系的待仿真区域，搜索获取的具有几何同构关系的多个待仿真区域构成区域同构序列；对若干个所述区域同构序列中的每一个区域同构序列，以图形同构方式合并光刻仿真任务，获得光刻仿真结果。

专利地区：北京