电位调控离心法回收单晶和多晶硅切割废料中硅粉的方法专利登记公告

专利名称：电位调控离心法回收单晶和多晶硅切割废料中硅粉的方法

摘要：一种电位调控离心法分离回收单晶硅和多晶硅线切割废料中硅粉的方法，步骤为:首先将切割废料进行预处理，去除聚乙二醇溶液，烘干后得到硅和碳化硅的混合粉末；将该混合粉末加水搅拌并用酸碱调节pH值至6～9，离心分离若干次后，在分离出的上层悬浮液中加酸调节pH至1～3，使硅粉团聚长大，静置沉降30min或离心沉降5min，即可收集到硅粉，该硅粉纯度可达到80%以上。

专利类型：发明专利

专利号：CN201210161112.6

专利申请（专利权）人：北京科技大学

专利发明（设计）人：朱鸿民;刘苏宁;黄凯

主权项：一种电位调控离心法回收单晶和多晶硅切割废料中硅粉的方法，其特征在于，它包括以下步骤：切割废料预处理在单晶硅和多晶硅切割废料中加入水，并加入少量酸，搅拌3～4小时后，进行过滤，烘干并研磨分散硅和碳化硅的混合粉末；（2）调控混合粉末的表面电位将硅和碳化硅的混合粉末按照一定的液固比3～10：1加入水，并加酸或碱调节pH值为6～9，搅拌均匀；（3）离心分离过程将混合液体离心若干次后，得到上下分层的样品并将上层富硅相悬液和下层富碳化硅的沉积物分别取出；（4）调整富硅相的表面电位以快速回收硅粉离心后得到的上层悬浮液为

专利地区：北京