具有后应用的衬垫延长部分的重构晶片堆封装专利登记公告
专利名称:具有后应用的衬垫延长部分的重构晶片堆封装;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:泰塞拉公司...Read more
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专利名称:具有后应用的衬垫延长部分的重构晶片堆封装;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:泰塞拉公司...Read more
专利名称:电子部件安装构造体及其制造方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:松下电器产业株式会社...Read more
专利名称:用于大电流的功率控制的具有至少一个半导体器件、尤其是功率半导体器件的装置;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:西门子公司...Read more
专利名称:电气电路的开关装置;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:三垦电气株式会社...Read more
专利名称:光电转换器件和成像系统;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:佳能株式会社...Read more
专利名称:提供共享像素直门架构的方法和设备;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:普廷数码影像控股公司...Read more
专利名称:控制电力分配;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:ABB研究有限公司...Read more
专利名称:无线通信终端、无线通信系统以及无线通信方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:京瓷株式会社...Read more
专利名称:无线通信装置和无线通信方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:京瓷株式会社...Read more
专利名称:基站装置、发送方法、移动台装置和接收方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:株式会社NTT都科摩...Read more
专利名称:用于在无线通信网络中管理呼叫的方法和基站;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:摩托罗拉公司...Read more
专利名称:用于虚拟端口通信的方法和系统;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:英特尔公司...Read more
专利名称:金属氧化物半导体场效应晶体管有源区和边缘终止区电荷平衡;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:维西埃-硅化物公司...Read more
专利名称:DMOS晶体管及其制造方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社...Read more
专利名称:用于检测半导体的设备和方法以及被检测半导体器件;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:日本电气株式会社...Read more
专利名称:方向转换装置及具有方向转换装置的悬浮输送系统;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:株式会社IHI...Read more
专利名称:处理方法和半导体装置制造方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:住友电气工业株式会社...Read more
专利名称:用于在处理室内定位衬底的偏移校正技术;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:朗姆研究公司...Read more
专利名称:使用注入杂质将半导体晶片分离成单个半导体管芯的方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:艾格瑞系统有限公司...Read more
专利名称:层叠双管芯封装及其制造方法以及纳入该封装的系统;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:费查尔德半导体有限公司...Read more