P沟道JFET与双极混合集成电路及制作工艺专利登记公告
专利名称：P沟道JFET与双极混合集成电路及制作工艺;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：扬州晶新微电子有限公司...Read more
众多高校、科技企业信任之选
众多高校、科技企业信任之选
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专利名称：P沟道JFET与双极混合集成电路及制作工艺;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：扬州晶新微电子有限公司...Read more
专利名称：基板及应用其的半导体封装件与其制造方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：日月光半导体制造股份有限公司...Read more
专利名称：在器件的掺杂多晶硅沟槽上形成钛化硅层的方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司...Read more
专利名称：可控硅器件的复合平面终端钝化方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：江阴新顺微电子有限公司...Read more
专利名称：改进的晶体管器件及其制造方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：国际商业机器公司...Read more
专利名称：横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：杭州矽力杰半导体技术有限公司;矽力杰公司...Read more
专利名称：半导体器件的制造方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：日本财团法人高知县产业振兴中心;卡西欧计算机株式会社...Read more
专利名称：促进包埋芯片建立的芯片结合粘合剂和相关系统及方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：通用电气公司...Read more
专利名称：测试晶片的方法及测试结构;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司...Read more
专利名称：金属-绝缘体-金属电容器及其制造方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司...Read more
专利名称：一种化学气相沉积装置;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：中国科学院半导体研究所...Read more
专利名称：控制离子注入工艺的方法和系统;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：台湾积体电路制造股份有限公司...Read more
专利名称：一种微纳结构硅材料的制备系统与制备方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：上海理工大学...Read more
专利名称：具有减少的栅极氧化物泄漏的取代金属栅极晶体管;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：先进微装置公司...Read more
专利名称：制造分离栅级存储器浮栅的方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司...Read more
专利名称：降低沟槽内残留物的方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司...Read more
专利名称：制造半导体装置的方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：恩益禧电子股份有限公司...Read more
专利名称：图形转印方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司...Read more
专利名称：一种含碳层的等离子刻蚀方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：中微半导体设备(上海)有限公司...Read more
专利名称：多电极离子阱;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：萨默费尼根有限公司...Read more