一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法专利登记公告
专利名称：一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司...Read more
众多高校、科技企业信任之选
众多高校、科技企业信任之选
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专利名称：一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司...Read more
专利名称：减小热载流子注入损伤的侧墙刻蚀方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司...Read more
专利名称：提高共源运算放大器频率特性的MOS器件制造方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司...Read more
专利名称：减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法、MOS器件制造方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司...Read more
专利名称：基于体硅的三维阵列式后栅型SiNWFET制备方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司...Read more
专利名称：一种具有高锗组分的锗硅沟道PMOS的制备方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：电子科技大学...Read more
专利名称：一种金刚石-硅复合封装材料的制备方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：华中科技大学...Read more
专利名称：裸晶圆灌孔封装技术;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：涂嘉晋;李应煌...Read more
专利名称：一种源漏重掺杂方法、半导体器件及其制造方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司...Read more
专利名称：BCD工艺中双栅极氧化层的刻蚀方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：上海先进半导体制造股份有限公司...Read more
专利名称：减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法、MOS器件制造方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司...Read more
专利名称：浮栅的制作方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司...Read more
专利名称：元件间分离层的形成方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：拉碧斯半导体株式会社...Read more
专利名称：用于同时双面去除材料式加工半导体晶片的嵌件托架和方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：硅电子股份公司...Read more
专利名称：光刻胶的去除方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：中微半导体设备（上海）有限公司...Read more
专利名称：一种形成前金属介电质层的方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司...Read more
专利名称：一种形成双应力层氮化硅薄膜的方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司...Read more
专利名称：基板处理方法及基板处理装置;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：大日本网屏制造株式会社...Read more
专利名称：多晶硅薄膜晶体管的制造方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：广东中显科技有限公司...Read more
专利名称：大高宽比结构的去胶方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：上海集成电路研发中心有限公司...Read more