肖特基二极管及其制造方法专利登记公告
专利名称:肖特基二极管及其制造方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:上海宏力半导体制造有限公司...Read more
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专利名称:肖特基二极管及其制造方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:上海宏力半导体制造有限公司...Read more
专利名称:混合晶向反型模式半导体纳米线MOSFET;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司...Read more
专利名称:体衬底上制造的被隔离的三栅极晶体管;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:英特尔公司...Read more
专利名称:SOI MOS晶体管;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所...Read more
专利名称:SOI MOS晶体管;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所...Read more
专利名称:一种FINFET动态随机存储器单元及其制备方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:清华大学...Read more
专利名称:通过合金键合在背栅接负电压的SOI/MOS器件结构及制造方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十八研究所...Read more
专利名称:显示设备及其薄膜晶体管结构;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:元太科技工业股份有限公司...Read more
专利名称:半导体器件及其制造方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所...Read more
专利名称:超结高压功率器件结构;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:西安龙腾新能源科技发展有限公司...Read more
专利名称:晶体管及其制造方法以及功率转换系统;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:凹凸电子(武汉)有限公司...Read more
专利名称:场效应晶体管及其制造方法、固态成像装置和电子设备;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:索尼公司...Read more
专利名称:具有厚沟槽底部氧化物的MOSFET器件;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:飞兆半导体公司...Read more
专利名称:双层隔离混合晶向应变纳米线MOSFET;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司...Read more
专利名称:混合晶向反型模式半导体纳米线MOSFET;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司...Read more
专利名称:金属栅极结构及其制作方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:联华电子股份有限公司...Read more
专利名称:SONOS栅极结构及其制备方法、以及半导体器件;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司...Read more
专利名称:嵌入式外延外基区双极晶体管及其制备方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:清华大学...Read more
专利名称:一种平面栅电荷存储型IGBT;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:电子科技大学...Read more
专利名称:一种沟槽栅电荷存储型IGBT;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:电子科技大学...Read more