一种底栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法专利登记公告
专利名称：一种底栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：北京大学...Read more
众多高校、科技企业信任之选
众多高校、科技企业信任之选
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专利名称：一种底栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：北京大学...Read more
专利名称：电源模块用基板的制造方法、电源模块用基板和电源模块;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：三菱综合材料株式会社...Read more
专利名称：提高后栅工程金属插塞化学机械平坦化工艺均匀性的方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所...Read more
专利名称：选择性蚀刻和二氟化氙的形成;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：气体产品与化学公司...Read more
专利名称：齐纳二极管的制造方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：上海先进半导体制造股份有限公司...Read more
专利名称：一种基于核/壳结构硅纳米线组的肖特基二极管的制备方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：华东师范大学...Read more
专利名称：一种栅控二极管半导体器件的制造方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：复旦大学...Read more
专利名称：一种基于SOI的纵向SiGe双极晶体管及其制备方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所...Read more
专利名称：一种优化量子阱HEMT器件沟道层厚度的方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：中国科学院上海技术物理研究所...Read more
专利名称：半导体器件及其制造方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所...Read more
专利名称：向沟道中引入应变的方法和使用该方法制作的器件;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所...Read more
专利名称：垂直晶体管制造方法和垂直晶体管;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：NXP股份有限公司...Read more
专利名称：一种减小半导体器件栅诱导漏极泄漏的方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司...Read more
专利名称：通孔形成方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：上海集成电路研发中心有限公司...Read more
专利名称：金属前介质层制造方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司...Read more
专利名称：提高打开多晶栅顶化学机械平坦化工艺均匀性的方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所...Read more
专利名称：层间电介质的近界面平坦化回刻方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所...Read more
专利名称：一种65/55nm产品第二侧墙刻蚀工艺;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司...Read more
专利名称：光刻胶去除方法、金属线刻蚀方法以及集成电路制造方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：上海宏力半导体制造有限公司...Read more
专利名称：一种高掺杂磷硅玻璃薄膜的制备方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：上海华虹NEC电子有限公司...Read more