背面金属工艺中断后晶片的返工方法专利登记公告
专利名称：背面金属工艺中断后晶片的返工方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：上海先进半导体制造股份有限公司...Read more
众多高校、科技企业信任之选
众多高校、科技企业信任之选
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专利名称：背面金属工艺中断后晶片的返工方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：上海先进半导体制造股份有限公司...Read more
专利名称：硅片的清洗工艺;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：常州银河半导体有限公司...Read more
专利名称：提高金属-绝缘层-金属电容层多次光刻重复性的方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：上海华力微电子有限公司...Read more
专利名称：图形化衬底的制作方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：映瑞光电科技（上海）有限公司...Read more
专利名称：一种金属-碳化硅欧姆接触快速退火方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：中国电子科技集团公司第五十五研究所...Read more
专利名称：介质膜刻蚀方法和浅槽隔离形成方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司...Read more
专利名称：一种8英寸晶圆切口氧化膜去除方法和装置;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：有研半导体材料股份有限公司...Read more
专利名称：一种减少金属流电腐蚀的方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：安集微电子(上海)有限公司...Read more
专利名称：一种钨化学机械抛光后的清洗方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：安集微电子(上海)有限公司...Read more
专利名称：一种减少金属腐蚀的清洗方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：安集微电子(上海)有限公司...Read more
专利名称：TSV通孔研磨清洗后的干燥方法及干燥设备;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司...Read more
专利名称：磊晶基板、使用该磊晶基板之半导体发光元件及其制程;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：昆山中辰矽晶有限公司...Read more
专利名称：元件的制造方法与平坦化制程;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：南亚科技股份有限公司...Read more
专利名称：一种控制锗纳米微结构尺寸的方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所...Read more
专利名称：具易移除牺牲层的磊晶结构及其制造方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：李德财...Read more
专利名称：通过沿预定路径移动的写入喷嘴将粘合剂图案施布到基底上的方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：ESEC公司...Read more
专利名称：薄膜形成方法及薄膜形成装置;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：东京毅力科创株式会社...Read more
专利名称：一种用铟(In)进行外延片/硅片键合的方法;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：杨继远...Read more
专利名称：工艺数据采集方法、装置及系统;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司...Read more
专利名称：一种晶圆清洗装置;专利类型：发明专利;专利申请（专利权）人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司...Read more