在磷化铟衬底上制备T型栅的方法专利登记公告
专利名称:在磷化铟衬底上制备T型栅的方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所...Read more
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专利名称:在磷化铟衬底上制备T型栅的方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所...Read more
专利名称:自对准金属硅化物的形成方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所...Read more
专利名称:一种金属栅极的制作方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司...Read more
专利名称:一种金属栅极的形成方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司...Read more
专利名称:一种淀积SONOS 存储器隧穿氧化层的方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司...Read more
专利名称:一种有助于消除U型镍硅化物的器件结构及其相应工艺;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司...Read more
专利名称:一种形成高介电常数金属栅的方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:上海华力微电子有限公司...Read more
专利名称:一种T型栅的制备方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所...Read more
专利名称:一种SiC单晶平整度的调整方法—湿法刻蚀;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:北京天科合达蓝光半导体有限公司;中国科学院物理研究所...Read more
专利名称:光器件晶片的加工方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:株式会社迪思科...Read more
专利名称:一种制作半导体器件结构的方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司...Read more
专利名称:选择性外延工艺的监控方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司...Read more
专利名称:超薄、高热稳定性ZrGeN/CuGe复合梯度阻挡层制备工艺;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:四川大学...Read more
专利名称:制造发光二极管的方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:三星LED株式会社...Read more
专利名称:二极管SF芯片的制造方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:常州星海电子有限公司;常州星海科技有限公司...Read more
专利名称:60伏高压LDPMOS结构及其制造方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:上海先进半导体制造股份有限公司...Read more
专利名称:在磷化铟衬底上制备T型栅的方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所...Read more
专利名称:多层金属化薄膜叠加制作电感元件的方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所...Read more
专利名称:一种小尺寸密度可控硅纳米点阵列的制备方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:厦门大学...Read more
专利名称:在自然氧化的Si衬底上生长InAs纳米线的方法;专利类型:发明专利;专利申请(专利权)人:中国科学院半导体研究所...Read more